瓷介电容器是消耗量很大的一类电子元件，其中，尤以圆片电容器（DC)使用量最 多。可焊Ag导体浆料有以下特点：金属含量低，Ag通常为：52、55、60%，其中使用量最大的为Ag含量55X。如使用较粗的银粉，经烧成工序后，电极表面粗糙，不亮。或者电极色泽不 匀，边缘深中间浅。因此，在这种低含量的情况下，要获得致密均匀的Ag电极层，对所用的 Ag粉提出了苛刻要求。

采用普通的超细银粉作DC电极浆料，由于银粉颗粒较粗、金属含量低，与陶瓷的浸润性不好，经丝网漏印和干燥工序后，电极层易脱落或干燥不透。前一种情况使下一道烧结工序无法进行，因为罗门哈斯增塑剂堆片时相互碰撞而使电极脱落；后一种情况，使烧成过程中电极间相 互粘结。电极覆盖率小，在220什么是抗氧化剂〜230°C (特殊的305°C )的Sn-Pb焊料中浸焊1〜3s后， 银电极很容易被Sn-Pb焊料侵蚀。

制造方法

本发明的目的就是要实现一种纳米级银粉，用该纳米银粉配制成的DC电极浆料， 在20(TC下烘干，经80(TC烧结后，得光亮致密的Ag层，覆盖率为200cm7g。于220°C (特殊 的为305°C )的Sn-Pb焊料中浸焊1. 5s，Ag电极的可焊性、附着力和DC的容量和损耗等均 达到DC生产线的技术要求。用该纳米银粉配制低温粘结芯片的纳米银浆，粘结SiC或GaN 等芯片附着在陶瓷的表面，经260°C〜270°C烘烤，接合力> 20MPa，抗拉张力不小于40MPa。

本发明的另一个目的是实现一种纳米级银粉制造方法。

本发明的再一个目的是提供纳米级银粉的应用。为了实现上述目的，本发明采取以下的技术方案： —种纳米银粉，该纳米银粉的物理性能为：1)粒度范围:10〜l00nm 2)平均粒径：20〜50nm 3)比表面积：30〜50m2/g 4)松装密度：1. 5〜3. 0cmVg。

所述的纳米银粉为类球形分布，分散性好，该纳米银粉可在260°C〜270T°C下烧结导电。

纳米银粉的制造方法及工艺如下： l碳酸银或氧化银制备

以硝酸银作为原料，用硝酸银配制摩尔浓度为1. 0〜3. 0mol/L的硝酸银溶液，在 容器中将摩尔浓度为1. 0〜3. 0mol/L的硝酸银溶液，加入无水碳酸钠溶液，并调pH值到 9〜I0，制得碳酸银；或在容器中将摩尔浓度为1. 0〜3. 0mol/L的硝酸银溶液，加入NaOH 碱溶液，并调PH值到9〜I0，制得氧化银，用离子交换水清洗碳酸银或氧化银到pH值为7。

2还原剂混合液配制

按照步骤1)中的所用的硝酸银原料重量中的含银量，配制还原剂混合液：量取还 原剂（按0. 1〜1. 2L/lkg银），称取分散剂（按5〜15g/lkg银）并配制成溶液，将上述还 原剂和分散剂于容器中搅拌混合均匀，得到还原剂混合液；3化学还原法制备纳米银粉

向步骤l)中的所用的硝酸银原料重量所制得的碳酸银或氧化银中，按每980 克-1020克的硝酸银原料量加入7. 3L〜7. 7L的去离子水量，加入去离子水，且加热到90〜 92°C ;并将步骤2)得到的还原剂混合液加入上述液体中，用搅拌器进行搅拌，直至反应结 束，经过滤后得到纳米银粉。4纳米银粉洗涤和烘干。

将步骤3中得到的纳米银粉，用离子交换水清洗到中性，经75°C〜85t:烘干完成 整个过程。